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元件参数资料
>
参数目录38227
> 2SK3176 MOSFET N-CH 200V 30A TO-3PN
型号:
2SK3176
RoHS:
否
制造商:
Toshiba
描述:
MOSFET N-CH 200V 30A TO-3PN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
2SK3176 PDF
标准包装
50
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
52 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
125nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
5400pF @ 10V
功率 - 最大
150W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装
TO-3P(N)
包装
管件
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